采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H20D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H20D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H20D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H20D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HS54095TZ-E
工作温度：150℃
功率：750mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：66pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：16.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H20D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HS54095TZ-E
工作温度：150℃
功率：750mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：66pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：16.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HS54095TZ-E
工作温度：150℃
功率：750mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：66pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：16.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HS54095TZ-E
工作温度：150℃
功率：750mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：66pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：16.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H20D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
