包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STU12N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:538pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":1600,"16+":8200,"18+":331,"19+":2000,"9999":230,"MI+":1250}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R385CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:3.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@5.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP12N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:538pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP12N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:538pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R360P7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:22W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:555pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":750,"13+":950}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF9N60NT
工作温度:-55℃~150℃
功率:29.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1240pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":1600,"16+":8200,"18+":331,"19+":2000,"9999":230,"MI+":1250}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R385CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:3.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@5.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK9A60D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:830mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":1600,"16+":8200,"18+":331,"19+":2000,"9999":230,"MI+":1250}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R385CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:3.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@5.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":1600,"16+":8200,"18+":331,"19+":2000,"9999":230,"MI+":1250}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R385CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:3.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@5.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK9A60D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:830mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK9A60D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:830mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP9N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:83.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1240pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R360P7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:22W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:555pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF12N60M2
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:538pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R385CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:3.5V@340µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@5.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF12N60M2
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:538pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":88,"21+":540}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R360P7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:22W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:555pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF10N60ZUT
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":760}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R360P7SE8228XKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:22W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:555pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":750,"13+":950}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF9N60NT
工作温度:-55℃~150℃
功率:29.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1240pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R180C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:29W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R385CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:3.5V@340µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@5.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF12N60M2
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:538pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R385CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:3.5V@340µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@5.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R360P7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:22W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:555pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R360P7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:22W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:555pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP12N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:538pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R385CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:3.5V@340µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@5.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R360P7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:22W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:555pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: