采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB28N60EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2714pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFQ28N60P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：695W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3560pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB28N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2714pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF35N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB125A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2993pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1739}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R090CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@470µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1752pF@400V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB125A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2993pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP35N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB28N60EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2714pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP130N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3590pF@380V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB37N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1739}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R090CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@470µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1752pF@400V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1739}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R090CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@470µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1752pF@400V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB125A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2993pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFQ28N60P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：695W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3560pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF35N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB28N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2714pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R090CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@470µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1752pF@400V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R090CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@470µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1752pF@400V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP35N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R090CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@470µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1752pF@400V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB125A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2993pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP130N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3590pF@380V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R090CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@470µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1752pF@400V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH130N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3590pF@380V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB37N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R090CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@470µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1752pF@400V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF35N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF35N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
