采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：347nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10900pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6076MNZ1C9
工作温度：-55℃~150℃
功率：740W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7000pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6076MNZ1C9
工作温度：-55℃~150℃
功率：740W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7000pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZA60R037P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1.48mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5243pF@400V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@29.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6076MNZ1C9
工作温度：-55℃~150℃
功率：740W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7000pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6076MNZ1C9
工作温度：-55℃~150℃
功率：740W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7000pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：347nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10900pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6076MNZ1C9
工作温度：-55℃~150℃
功率：740W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7000pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：347nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10900pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZA60R037P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1.48mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5243pF@400V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@29.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZA60R037P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1.48mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5243pF@400V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@29.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
