采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFH10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFH10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11N60M2-EP
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：595mΩ@3.75A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13.5nC@10V
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：985}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI8N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€147W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1255pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.75A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13.5nC@10V
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：985}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI8N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€147W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1255pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.75A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：595，"13+"：42512}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF8N60C
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1255pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.75A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4800，"MI+"：197}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.255nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，3.75A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1K0A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@770µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFH10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
