品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:610mW
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:1.08nC@10V
输入电容:21.8pF@25V
连续漏极电流:50mA
类型:1个N沟道
导通电阻:160Ω@10V,16mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:610mW
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:1.08nC@10V
输入电容:21.8pF@25V
连续漏极电流:50mA
类型:1个N沟道
导通电阻:160Ω@10V,16mA
漏源电压:600V
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功率:610mW
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:1.08nC@10V
输入电容:21.8pF@25V
连续漏极电流:50mA
类型:1个N沟道
导通电阻:160Ω@10V,16mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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