采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXKH70N60C5
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3.5V@3mA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6800pF@100V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@44A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6070JNZ4C13
工作温度：150℃
功率：770W
阈值电压：7V@3mA
栅极电荷：165nC@15V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@100V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@35A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6070JNZ4C13
工作温度：150℃
功率：770W
阈值电压：7V@3mA
栅极电荷：165nC@15V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@100V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@35A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6070JNZ4C13
工作温度：150℃
功率：770W
阈值电压：7V@3mA
栅极电荷：165nC@15V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@100V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@35A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6070JNZ4C13
工作温度：150℃
功率：770W
阈值电压：7V@3mA
栅极电荷：165nC@15V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@100V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@35A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6070JNZ4C13
工作温度：150℃
功率：770W
阈值电压：7V@3mA
栅极电荷：165nC@15V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@100V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@35A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6070JNZ4C13
工作温度：150℃
功率：770W
阈值电压：7V@3mA
栅极电荷：165nC@15V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@100V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@35A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6070JNZ4C13
工作温度：150℃
功率：770W
阈值电压：7V@3mA
栅极电荷：165nC@15V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@100V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@35A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXKH70N60C5
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3.5V@3mA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6800pF@100V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@44A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6070JNZ4C13
工作温度：150℃
功率：770W
阈值电压：7V@3mA
栅极电荷：165nC@15V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@100V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@35A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6070JNZ4C13
工作温度：150℃
功率：770W
阈值电压：7V@3mA
栅极电荷：165nC@15V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@100V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@35A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6070JNZ4C13
工作温度：150℃
功率：770W
阈值电压：7V@3mA
栅极电荷：165nC@15V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@100V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@35A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6070JNZ4C13
工作温度：150℃
功率：770W
阈值电压：7V@3mA
栅极电荷：165nC@15V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@100V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@35A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT60M60JLL
工作温度：-55℃~150℃
功率：694W
阈值电压：5V@5mA
栅极电荷：289nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12630pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@35A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6070JNZ4C13
栅极电荷：165nC@15V
工作温度：150℃
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
输入电容：6000pF@100V
包装方式：管件
阈值电压：7V@3mA
漏源电压：600V
导通电阻：58mΩ@35A，15V
功率：770W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6070JNZ4C13
工作温度：150℃
功率：770W
阈值电压：7V@3mA
栅极电荷：165nC@15V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@100V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@35A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6070JNZ4C13
工作温度：150℃
功率：770W
阈值电压：7V@3mA
栅极电荷：165nC@15V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@100V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@35A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6070JNZ4C13
工作温度：150℃
功率：770W
阈值电压：7V@3mA
栅极电荷：165nC@15V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@100V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@35A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6070JNZ4C13
工作温度：150℃
功率：770W
阈值电压：7V@3mA
栅极电荷：165nC@15V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@100V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@35A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6070JNZ4C13
工作温度：150℃
功率：770W
阈值电压：7V@3mA
栅极电荷：165nC@15V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@100V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@35A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6070JNZ4C13
工作温度：150℃
功率：770W
阈值电压：7V@3mA
栅极电荷：165nC@15V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@100V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@35A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6070JNZ4C13
工作温度：150℃
功率：770W
阈值电压：7V@3mA
栅极电荷：165nC@15V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@100V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@35A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：770W
阈值电压：7V@3mA
栅极电荷：165nC@15V
输入电容：6nF@100V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@35A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：05+
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STE70NM60
工作温度：150℃
功率：600W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：266nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7300pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@30A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6070JNZ4C13
工作温度：150℃
功率：770W
阈值电压：7V@3mA
栅极电荷：165nC@15V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@100V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@35A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6070JNZ4C13
工作温度：150℃
功率：770W
阈值电压：7V@3mA
栅极电荷：165nC@15V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@100V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@35A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT60M60JLL
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：70A
功率：694W
阈值电压：5V@5mA
类型：N沟道
输入电容：12630pF@25V
包装方式：管件
导通电阻：60mΩ@35A，10V
漏源电压：600V
栅极电荷：289nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
