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    漏源电压: 600V
    连续漏极电流: 20A
    包装方式: 管件
    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB22N60AE-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB22N60AE-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB22N60AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1451pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:1000
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW20NM60

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60FD
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60FD

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW20NM60FD

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:214W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20A60W5,S5VX
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20A60W5,S5VX

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20A60W5,S5VX

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":400,"23+":8659}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:54
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60-F109 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60-F109 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA20N60-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA20N60F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF26N60M2
    ST Mosfet场效应管 STF26N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF26N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:管件

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60FD
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60FD

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW20NM60FD

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:214W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:150
    加购:30
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60FD
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60FD

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW20NM60FD

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:214W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60FP
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60FP

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP20NM60FP

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP20NM60

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENZC17
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENZC17

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020ENZC17

    工作温度:150℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENZC17
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENZC17

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020ENZC17

    工作温度:150℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW20NM60

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    ST Mosfet场效应管 STF26NM60N 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STF26NM60N 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF26NM60N

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60FP
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60FP

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP20NM60FP

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 R6020JNXC7G
    ROHM Mosfet场效应管 R6020JNXC7G

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020JNXC7G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:76W

    阈值电压:7V@3.5mA

    栅极电荷:45nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:234mΩ@10A,15V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    IXYS Mosfet场效应管 IXKH20N60C5
    IXYS Mosfet场效应管 IXKH20N60C5

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXKH20N60C5

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:3.5V@1.1mA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1520pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    IXYS Mosfet场效应管 IXKH20N60C5
    IXYS Mosfet场效应管 IXKH20N60C5

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXKH20N60C5

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:3.5V@1.1mA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1520pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP20N60S5XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP20N60S5XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPP20N60S5XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":400,"23+":8659}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":15000,"MI+":1000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENZ4C13
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENZ4C13

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020ENZ4C13

    工作温度:150℃

    功率:231W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:510
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP20NM60

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    加购:50
    ROHM Mosfet场效应管 R6020JNXC7G
    ROHM Mosfet场效应管 R6020JNXC7G

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020JNXC7G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:76W

    阈值电压:7V@3.5mA

    栅极电荷:45nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:234mΩ@10A,15V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
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