采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2HNK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：19700，"17+"：2100，"9999"：375}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1-35G
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：10497，"16+"：68}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：19700，"17+"：2100，"9999"：375}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1-35G
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功率：84W
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连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2HNK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
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栅极电荷：15nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
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类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2HNK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
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包装方式：剪切带（CT）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
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类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：10497，"16+"：68}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1T4G
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功率：84W
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库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2HNK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
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输入电容：280pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2HNK60ZR-AP
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功率：3W
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连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
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漏源电压：600V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2HNK60ZR-AP
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STQ2HNK60ZR-AP
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连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：19700，"17+"：2100，"9999"：375}
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规格型号(MPN)：NDD60N745U1-35G
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功率：84W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
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输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2HNK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
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栅极电荷：15nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
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连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：10497，"16+"：68}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2HNK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
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类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2HNK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
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输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2HNK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：19700，"17+"：2100，"9999"：375}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1-35G
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2HNK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1-35G
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z-1
功率：45W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
阈值电压：4.5V@50µA
输入电容：280pF@25V
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
漏源电压：600V
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
