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    连续漏极电流
    漏源电压: 600V
    类型: N沟道
    栅极电荷: 29nC@10V
    阈值电压: 4.5V@50µA
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    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZG 起订972个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZG 起订972个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":11490,"10+":2950,"11+":18000,"12+":9000,"14+":942,"9999":500,"MI+":13000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF04N60ZG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N60ZT4G 起订36个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N60ZT4G 起订36个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1223

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD04N60ZT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZH 起订1188个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZH 起订1188个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":35949,"12+":29297,"13+":13783,"14+":33100,"15+":1649,"16+":5000,"17+":150,"18+":16000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF04N60ZH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZH 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZH 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":35949,"12+":29297,"13+":13783,"14+":33100,"15+":1649,"16+":5000,"17+":150,"18+":16000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF04N60ZH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N60ZT4G 起订39个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N60ZT4G 起订39个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1223

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD04N60ZT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N60ZT4G 起订42个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N60ZT4G 起订42个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1223

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD04N60ZT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":11490,"10+":2950,"11+":18000,"12+":9000,"14+":942,"9999":500,"MI+":13000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF04N60ZG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":11490,"10+":2950,"11+":18000,"12+":9000,"14+":942,"9999":500,"MI+":13000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF04N60ZG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZG 起订5000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF04N60ZG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZG 起订972个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZG 起订972个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF04N60ZG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N60ZT4G 起订42个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N60ZT4G 起订42个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:1223

    规格型号(MPN):NDD04N60ZT4G

    功率:83W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:4.5V@50µA

    连续漏极电流:4.1A

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N60ZT4G 起订36个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:1223

    规格型号(MPN):NDD04N60ZT4G

    功率:83W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:4.5V@50µA

    连续漏极电流:4.1A

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZH 起订1188个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZH 起订1188个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF04N60ZH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZH 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZH 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF04N60ZH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZH 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZH 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF04N60ZH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZH 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZH 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF04N60ZH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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