采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：10471}
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：10471}
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：10471}
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6025JNZC8
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：7V@4.5mA
栅极电荷：57nC@15V
包装方式：袋
输入电容：1900pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@12.5A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1440-E
工作温度：150℃
功率：1W€20W
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：袋
输入电容：130pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.1Ω@800mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：10471}
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：10471}
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：80000，"15+"：1000，"17+"：21000，"9999"：2482}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1440-E
工作温度：150℃
功率：1W€20W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：袋
输入电容：130pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.1Ω@800mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：80000，"15+"：1000，"17+"：21000，"9999"：2482}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1440-E
工作温度：150℃
功率：1W€20W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：袋
输入电容：130pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.1Ω@800mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1440-E
工作温度：150℃
功率：1W€20W
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：袋
输入电容：130pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.1Ω@800mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6025JNZC8
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：7V@4.5mA
栅极电荷：57nC@15V
包装方式：袋
输入电容：1900pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@12.5A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
包装方式：袋
导通电阻：20Ω@100mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@2mA
输入电容：150pF@25V
漏源电压：600V
连续漏极电流：160mA
功率：1W
类型：N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
