采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW36NM60ND
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：80.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2785pF@50V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP33N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28NM60ND
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2090pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW36NM60ND
工作温度：150℃
功率：190W
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包装方式：管件
输入电容：2785pF@50V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW33N60DM2
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功率：190W
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包装方式：管件
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类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
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库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
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库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP33N60M2
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功率：190W
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包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
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库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP34NM60ND
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
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包装方式：管件
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连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14.5A，10V
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库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
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包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
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类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
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库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW33N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
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包装方式：管件
输入电容：1870pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP33N60DM2
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功率：190W
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包装方式：管件
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类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@12A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STW33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
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类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28NM60ND
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2090pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
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类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW34NM60ND
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
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连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW33N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW34NM60ND
工作温度：150℃
功率：190W
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连续漏极电流：29A
类型：N沟道
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库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW34NM60ND
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功率：190W
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连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW34NM60ND
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
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包装方式：管件
输入电容：2785pF@50V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP33N60M2
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功率：190W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW33N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
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类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@12A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
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类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP34NM60ND
工作温度：150℃
功率：190W
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类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14.5A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
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漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
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导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
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连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
