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销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG039N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：357W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：84nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：61A

类型：MOSFET

导通电阻：40mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPW60R045CPA

工作温度：-40℃~+150℃

功率：431W

阈值电压：3V

栅极电荷：190nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：60A

类型：MOSFET

导通电阻：45mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1700psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPDD60R190G7XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：76W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

漏源电压：600V

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包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG039N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：357W

阈值电压：3V

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连续漏极电流：61A

类型：MOSFET

导通电阻：40mΩ

漏源电压：600V

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包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG039N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：357W

阈值电压：3V

栅极电荷：84nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：61A

类型：MOSFET

导通电阻：40mΩ

漏源电压：600V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPW60R045CPA

工作温度：-40℃~+150℃

功率：431W

阈值电压：3V

栅极电荷：190nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：60A

类型：MOSFET

导通电阻：45mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1700psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPDD60R190G7XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：76W

阈值电压：3V

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栅极电荷：18nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

漏源电压：600V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHJ240N60E-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：89W

阈值电压：3V

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栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：12A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：600V

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包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHJ240N60E-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：89W

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栅极电荷：23nC

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类型：MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPDD60R190G7XTMA1

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功率：76W

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栅极电荷：18nC

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连续漏极电流：13A

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销售单位：个

规格型号(MPN)：STP13N60DM2

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类型：MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPW60R045CPA

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功率：431W

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连续漏极电流：60A

类型：MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPW60R045CPA

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功率：431W

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连续漏极电流：60A

类型：MOSFET

导通电阻：45mΩ

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包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPW60R045CPA

工作温度：-40℃~+150℃

功率：431W

阈值电压：3V

栅极电荷：190nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：60A

类型：MOSFET

导通电阻：45mΩ

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPDD60R190G7XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：76W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：1712}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPDD60R190G7XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：76W

阈值电压：3V

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栅极电荷：18nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

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销售单位：个

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功率：89W

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栅极电荷：23nC

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连续漏极电流：12A

类型：MOSFET

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漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：1712}

包装规格(MPQ)：1700psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPDD60R190G7XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：76W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

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包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG180N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

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包装方式：Tube

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：180mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG039N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：357W

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包装方式：Tube

连续漏极电流：63A

类型：MOSFET

导通电阻：39mΩ

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包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHJ240N60E-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：89W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：12A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STP13N60DM2

工作温度：-55℃~+150℃

功率：110W

阈值电压：3V

栅极电荷：19nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：11A

类型：MOSFET

导通电阻：365mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHJ240N60E-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：89W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：12A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHJ240N60E-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：89W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：12A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG039N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：357W

阈值电压：3V

栅极电荷：126nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：63A

类型：MOSFET

导通电阻：39mΩ

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包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG180N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：3V

栅极电荷：33nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：180mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：STP13N60DM2

工作温度：-55℃~+150℃

功率：110W

阈值电压：3V

栅极电荷：19nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：11A

类型：MOSFET

导通电阻：365mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG039N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：357W

阈值电压：3V

栅极电荷：126nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：63A

类型：MOSFET

导通电阻：39mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHJ240N60E-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：89W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC

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连续漏极电流：12A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG180N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：3V

栅极电荷：33nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：180mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1