包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：168mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA60R380E6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：31W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：10.6A

类型：MOSFET

导通电阻：380mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA60R380E6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：31W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：10.6A

类型：MOSFET

导通电阻：380mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：168mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA60R380E6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：31W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：10.6A

类型：MOSFET

导通电阻：380mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA60R199CP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：199mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：168mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：168mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA60R380E6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：31W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：10.6A

类型：MOSFET

导通电阻：380mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：168mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：1psc

规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3

栅极电荷：32nC

功率：156W

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

工作温度：-55℃~+150℃

导通电阻：168mΩ

阈值电压：5V

漏源电压：600V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1