包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP60R125CP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：70nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：110mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB125N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：5V

栅极电荷：31nC

包装方式：管件

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB125N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：5V

栅极电荷：31nC

包装方式：管件

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB125N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：31nC

包装方式：管件

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB125N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：31nC

包装方式：管件

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB125N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：31nC

包装方式：管件

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

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规格型号(MPN)：SIHB125N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：5V

栅极电荷：31nC

包装方式：管件

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP60R125CP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：70nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：110mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1