采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6002END3TL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6002END3TL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6002END3TL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDDL01N60ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：4.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：92pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：22500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDDL01N60ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：92pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6002END3TL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6002END3TL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：22500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDDL01N60ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：92pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6002END3TL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6002END3TL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6002END3TL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDDL01N60ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：4.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：92pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6002END3TL1
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
输入电容：65pF@25V
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
功率：26W
类型：N沟道
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：6nC@10V
连续漏极电流：4.7A
漏源电压：600V
工作温度：-40℃~150℃
ECCN：EAR99
导通电阻：1Ω@1A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6002END3TL1
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
输入电容：65pF@25V
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"16+"：22500}
规格型号(MPN)：NDDL01N60ZT4G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
阈值电压：4.5V@50µA
导通电阻：15Ω@400mA，10V
栅极电荷：4.9nC@10V
漏源电压：600V
输入电容：92pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6002END3TL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
