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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500，"MI+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CE
功率：61W
阈值电压：3.5V@130μA
连续漏极电流：6.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1Ω@10V，1.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1500，"11+"：75，"14+"：40597，"16+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：312pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1500，"11+"：75，"14+"：40597，"16+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：312pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1500，"11+"：75，"14+"：40597，"16+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：312pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1500，"19+"：1499，"24+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS60R1K0CEAKMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4500，"24+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU60R1K0CEAKMA2
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4500，"24+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU60R1K0CEAKMA2
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1500，"19+"：1499，"24+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS60R1K0CEAKMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：312pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CE
功率：61W
阈值电压：3.5V@130μA
连续漏极电流：6.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1Ω@10V，1.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CE
功率：61W
阈值电压：3.5V@130μA
连续漏极电流：6.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1Ω@10V，1.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：312pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
