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    漏源电压: 600V
    工作温度: -55°C~150°C(TJ)
    当前匹配商品:100+
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R125C6FKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R125C6FKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R125C6FKSA1

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:219W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 960µA

    栅极电荷:96 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:2127 pF @ 100 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:125 毫欧 @ 14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA47N60F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA47N60F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA47N60F

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:417W(Tc)

    阈值电压:5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:8000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:47A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:73 毫欧 @ 23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STU12N60M2 起订数75个
    ST Mosfet场效应管 STU12N60M2 起订数75个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:85W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:16 nC @ 10 V

    输入电容:538 pF @ 100 V

    连续漏极电流:9A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:450 毫欧 @ 4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH099N60E 起订数300个
    onsemi Mosfet场效应管 FCH099N60E 起订数300个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:357W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 250µA

    栅极电荷:114 nC @ 10 V

    输入电容:3465 pF @ 380 V

    连续漏极电流:37A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:99 毫欧 @ 18.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA47N60F 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA47N60F 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":440}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA47N60F

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:417W(Tc)

    阈值电压:5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:8000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:47A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:73 毫欧 @ 23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT30N60BC6 起订3个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT30N60BC6 起订3个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT30N60BC6

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:219W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 960µA

    栅极电荷:88 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:2267 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:125 毫欧 @ 14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT30N60BC6 起订10个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT30N60BC6 起订10个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT30N60BC6

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:219W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 960µA

    栅极电荷:88 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:2267 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:125 毫欧 @ 14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1 起订数2000个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1 起订数2000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 80µA

    栅极电荷:8.5 nC @ 10 V

    输入电容:344 pF @ 400 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:600 毫欧 @ 1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH099N60E 起订数5000个
    onsemi Mosfet场效应管 FCH099N60E 起订数5000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:357W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 250µA

    栅极电荷:114 nC @ 10 V

    输入电容:3465 pF @ 380 V

    连续漏极电流:37A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:99 毫欧 @ 18.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1 起订数100个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1 起订数100个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 80µA

    栅极电荷:8.5 nC @ 10 V

    输入电容:344 pF @ 400 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:600 毫欧 @ 1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCU5N60TU 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCU5N60TU 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCU5N60TU

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:54W(Tc)

    阈值电压:5V @ 250µA

    栅极电荷:16 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:600 pF @ 25 V

    连续漏极电流:4.6A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:950 毫欧 @ 2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA47N60F 起订47个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA47N60F 起订47个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":440}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA47N60F

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:417W(Tc)

    阈值电压:5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:8000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:47A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:73 毫欧 @ 23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R125C6FKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R125C6FKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R125C6FKSA1

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:219W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 960µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:96 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:2127 pF @ 100 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:125 毫欧 @ 14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Littelfuse Mosfet场效应管 IXFH36N60P 起订30个装
    Littelfuse Mosfet场效应管 IXFH36N60P 起订30个装

    品牌:Littelfuse

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH36N60P

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:650W(Tc)

    阈值电压:5V @ 4mA

    栅极电荷:102 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:5800 pF @ 25 V

    连续漏极电流:36A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:190 毫欧 @ 18A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCU5N60TU 起订529个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCU5N60TU 起订529个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2224}

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCU5N60TU

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:54W(Tc)

    阈值电压:5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:600 pF @ 25 V

    连续漏极电流:4.6A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:950 毫欧 @ 2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA47N60F 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA47N60F 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA47N60F

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:417W(Tc)

    阈值电压:5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:8000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:47A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:73 毫欧 @ 23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Littelfuse Mosfet场效应管 IXFH26N60P 起订90个装
    Littelfuse Mosfet场效应管 IXFH26N60P 起订90个装

    品牌:Littelfuse

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH26N60P

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:460W(Tc)

    阈值电压:5V @ 4mA

    栅极电荷:72 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:4150 pF @ 25 V

    连续漏极电流:26A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:270 毫欧 @ 500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCU5N60TU 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FCU5N60TU 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:54W(Tc)

    阈值电压:5V @ 250µA

    栅极电荷:16 nC @ 10 V

    输入电容:600 pF @ 25 V

    连续漏极电流:4.6A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:950 毫欧 @ 2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Littelfuse Mosfet场效应管 IXTH10P60 起订200个装
    Littelfuse Mosfet场效应管 IXTH10P60 起订200个装

    品牌:Littelfuse

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH10P60

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:5V @ 250µA

    栅极电荷:160 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:4700 pF @ 25 V

    连续漏极电流:10A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:1 欧姆 @ 5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Littelfuse Mosfet场效应管 IXFX64N60P3 起订50个装
    Littelfuse Mosfet场效应管 IXFX64N60P3 起订50个装

    品牌:Littelfuse

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFX64N60P3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1130W(Tc)

    阈值电压:5V @ 4mA

    栅极电荷:145 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:9900 pF @ 25 V

    连续漏极电流:64A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:95 毫欧 @ 32A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R125C6FKSA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R125C6FKSA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R125C6FKSA1

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:219W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 960µA

    栅极电荷:96 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:2127 pF @ 100 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:125 毫欧 @ 14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R125C6FKSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R125C6FKSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R125C6FKSA1

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:219W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 960µA

    栅极电荷:96 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:2127 pF @ 100 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:125 毫欧 @ 14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280P7ATMA1 起订数100个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280P7ATMA1 起订数100个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R280P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@190µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:761pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH099N60E 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FCH099N60E 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:357W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 250µA

    栅极电荷:114 nC @ 10 V

    输入电容:3465 pF @ 380 V

    连续漏极电流:37A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:99 毫欧 @ 18.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH099N60E 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FCH099N60E 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:357W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 250µA

    栅极电荷:114 nC @ 10 V

    输入电容:3465 pF @ 380 V

    连续漏极电流:37A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:99 毫欧 @ 18.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STU12N60M2 起订数250个
    ST Mosfet场效应管 STU12N60M2 起订数250个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:85W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:16 nC @ 10 V

    输入电容:538 pF @ 100 V

    连续漏极电流:9A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:450 毫欧 @ 4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R125C6FKSA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R125C6FKSA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":66,"22+":237}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R125C6FKSA1

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:219W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 960µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:96 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:2127 pF @ 100 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:125 毫欧 @ 14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1 起订数1000个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1 起订数1000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 80µA

    栅极电荷:8.5 nC @ 10 V

    输入电容:344 pF @ 400 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:600 毫欧 @ 1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1 起订数500个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1 起订数500个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 80µA

    栅极电荷:8.5 nC @ 10 V

    输入电容:344 pF @ 400 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:600 毫欧 @ 1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    Microchip Mosfet场效应管 APT30N60BC6 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT30N60BC6 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT30N60BC6

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:219W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 960µA

    栅极电荷:88 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:2267 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:125 毫欧 @ 14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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