采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFDC20PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@190mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFDC20PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@190mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS225H6327FTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：131pF@25V
连续漏极电流：90mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@90mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFDC20PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@190mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS225H6327FTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@94µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：131pF@25V
连续漏极电流：90mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@90mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS225H6327FTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：131pF@25V
连续漏极电流：90mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@90mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS225H6327FTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@94µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：131pF@25V
连续漏极电流：90mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@90mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS225H6327FTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@94µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：131pF@25V
连续漏极电流：90mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@90mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFDC20PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@190mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS225H6327FTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@94µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：131pF@25V
连续漏极电流：90mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@90mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS225H6327FTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@94µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：131pF@25V
连续漏极电流：90mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@90mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS225H6327FTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：131pF@25V
连续漏极电流：90mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@90mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS225H6327FTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@94µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：131pF@25V
连续漏极电流：90mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@90mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS225H6327FTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：131pF@25V
连续漏极电流：90mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@90mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS225H6327FTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：131pF@25V
连续漏极电流：90mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@90mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS225H6327FTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：131pF@25V
连续漏极电流：90mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@90mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS225H6327FTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@94µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：131pF@25V
连续漏极电流：90mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@90mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS225H6327FTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@94µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：131pF@25V
连续漏极电流：90mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@90mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
包装方式：袋
导通电阻：20Ω@100mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@2mA
输入电容：150pF@25V
漏源电压：600V
连续漏极电流：160mA
功率：1W
类型：N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：100psc
规格型号(MPN)：IRFDC20PBF
栅极电荷：18nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：320mA
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：4.4Ω@190mA，10V
漏源电压：600V
功率：1W
ECCN：EAR99
输入电容：350pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS225H6327FTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：131pF@25V
连续漏极电流：90mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@90mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS225H6327FTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：131pF@25V
连续漏极电流：90mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@90mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS225H6327FTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@94µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：131pF@25V
连续漏极电流：90mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@90mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
