采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF22N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1920pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA22N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1920pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
功率：35W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
连续漏极电流：2.5A
输入电容：660pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：SIHA22N60E-E3
栅极电荷：86nC@10V
功率：35W
连续漏极电流：21A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
输入电容：1920pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF22N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1920pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA21N60EF-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2030pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：176mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF22N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1920pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA21N60EF-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2030pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：176mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
功率：35W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
连续漏极电流：2.5A
输入电容：660pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
