采购热线 400-661-9010
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2816
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€53.5W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1109pF@40V
连续漏极电流：8.5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0602NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.3V@29µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@40V
连续漏极电流：14A€66A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0602NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.3V@29µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@40V
连续漏极电流：14A€66A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC010N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€52W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@40V
连续漏极电流：11A€51A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@16A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC010N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€52W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@40V
连续漏极电流：11A€51A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@16A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2816
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€53.5W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1109pF@40V
连续漏极电流：8.5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1506，"23+"：29740，"24+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC010N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€52W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@40V
连续漏极电流：11A€51A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@16A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1506，"23+"：29740，"24+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC010N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€52W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@40V
连续漏极电流：11A€51A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@16A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0602NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.3V@29µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@40V
连续漏极电流：14A€66A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0602NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.3V@29µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@40V
连续漏极电流：14A€66A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0602NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.3V@29µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@40V
连续漏极电流：14A€66A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC010N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€52W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@40V
连续漏极电流：11A€51A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@16A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0602NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.3V@29µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@40V
连续漏极电流：14A€66A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0602NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.3V@29µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@40V
连续漏极电流：14A€66A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：773}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC010N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€52W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@40V
连续漏极电流：11A€51A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@16A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0602NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.3V@29µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@40V
连续漏极电流：14A€66A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1506，"23+"：29740，"24+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC010N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€52W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@40V
连续漏极电流：11A€51A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@16A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2816
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€53.5W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1109pF@40V
连续漏极电流：8.5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC010N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€52W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@40V
连续漏极电流：11A€51A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@16A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1338}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0602NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.3V@29µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@40V
连续漏极电流：14A€66A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC010N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€52W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@40V
连续漏极电流：11A€51A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@16A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
