采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1573pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1573pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86380-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13.4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N08S413ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：72W
阈值电压：4V@33µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1711pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13.2mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3698}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86380-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4193，"23+"：20160，"MI+"：3557}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N08S413ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：72W
阈值电压：4V@33µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1711pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13.2mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1573pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N08S413ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：72W
阈值电压：4V@33µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1711pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13.2mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1573pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N08S413ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：72W
阈值电压：4V@33µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1711pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13.2mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N08S413ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：72W
阈值电压：4V@33µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1711pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13.2mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3698}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86380-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1573pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86380-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13.4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N08S413ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：72W
阈值电压：4V@33µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1711pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13.2mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
