采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC117N08NS5ATMA1
栅极电荷：18nC@10V
功率：2.5W€50W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：80V
导通电阻：11.7mΩ@25A，10V
输入电容：1300pF@40V
阈值电压：3.8V@22µA
连续漏极电流：49A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3512
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：634pF@40V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：80V
连续漏极电流：3A
阈值电压：4V@250µA
功率：1.6W
ECCN：EAR99
导通电阻：77mΩ@3A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_GE3
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：290mΩ@1A，4.5V
阈值电压：2.5V@250µA
漏源电压：80V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：620pF@30V
功率：3W
类型：P沟道
连续漏极电流：2.2A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3512
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：634pF@40V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3512
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：634pF@40V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：80V
连续漏极电流：3A
阈值电压：4V@250µA
功率：1.6W
ECCN：EAR99
导通电阻：77mΩ@3A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
漏源电压：80V
输入电容：805pF@40V
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
功率：2W€4.2W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：3.8A€5.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN13008NH，L1Q
栅极电荷：18nC@10V
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
工作温度：150℃
输入电容：1600pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
导通电阻：13.3mΩ@9A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86324
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@50V
连续漏极电流：7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN13008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@40V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：13.3mΩ@9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN13008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@40V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：13.3mΩ@9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1A，4.5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1A，4.5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3512
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@40V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3512
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@40V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3512
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@40V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1A，4.5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1A，4.5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86324
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@50V
连续漏极电流：7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC117N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3.8V@22µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@40V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@40V
连续漏极电流：3.8A€5.4A
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC117N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3.8V@22µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@40V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3512
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@40V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1A，4.5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@40V
连续漏极电流：3.8A€5.4A
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@40V
连续漏极电流：3.8A€5.4A
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC117N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3.8V@22µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@40V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1A，4.5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1A，4.5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3512
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@40V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
