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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK46E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：103W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK46E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：103W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@40V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK35A08N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@40V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@17.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5R1A08QM，S4X
功率：45W
阈值电压：3.5V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.98nF@40V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9000pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK35A08N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@40V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@17.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK46E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：103W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK46E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：103W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@40V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK46E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：103W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK46E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：103W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@40V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK35A08N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@40V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@17.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK35A08N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@40V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@17.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK35A08N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@40V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@17.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK46E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：103W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9000pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9000pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@40V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6R8A08QM，S4X
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@40V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@29A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6R8A08QM，S4X
工作温度：175°C
功率：41W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：2700 pF @ 40 V
连续漏极电流：58A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.8 毫欧 @ 29A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6R8A08QM，S4X
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@40V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@29A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5R1A08QM，S4X
功率：45W
阈值电压：3.5V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.98nF@40V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6R8A08QM，S4X
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@40V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@29A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5R1A08QM，S4X
功率：45W
阈值电压：3.5V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.98nF@40V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5R1A08QM，S4X
功率：45W
阈值电压：3.5V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.98nF@40V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6R8A08QM，S4X
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@40V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@29A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5R1A08QM，S4X
功率：45W
阈值电压：3.5V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.98nF@40V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK5R1A08QM，S4X
功率：45W
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：70A
阈值电压：3.5V@700μA
漏源电压：80V
包装方式：管件
输入电容：3.98nF@40V
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
