采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y41-80E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：64W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN045-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN045-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y41-80E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：64W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y41-80E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：64W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN045-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y41-80E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：64W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN045-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN045-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN045-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN045-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y41-80E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：64W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN045-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y41-80E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：64W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN045-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y41-80E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：64W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：11.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y41-80E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：64W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y41-80E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：64W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN045-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
