采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19502Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@19A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：3.8V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：3.8V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19502Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@19A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19502Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@19A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19502Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@19A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19502Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@19A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6276
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4940pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：3.8V@95µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5002，"23+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC037N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€114W
阈值电压：3.8V@72µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC100N08Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：51W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5469pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC100N08Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：51W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5469pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR680DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：81nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19502Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@19A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19502Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@19A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6276
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4940pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：67，"21+"：4200，"23+"：4234}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC025N08LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€156W
阈值电压：2.3V@115µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7500pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19502Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@19A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC025N08LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€156W
阈值电压：2.3V@115µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7500pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6276
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4940pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR680DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC025N08LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€156W
阈值电压：2.3V@115µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7500pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC025N08LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€156W
阈值电压：2.3V@115µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7500pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC037N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€114W
阈值电压：3.8V@72µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19502Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@19A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC037N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€114W
阈值电压：3.8V@72µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC037N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€114W
阈值电压：3.8V@72µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19502Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@19A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：67，"21+"：4200，"23+"：4234}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC025N08LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€156W
阈值电压：2.3V@115µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7500pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC025N08LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€156W
阈值电压：2.3V@115µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7500pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
