品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:80V
功率:50W€1.2W
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:70A€17A
工作温度:-55℃~+175℃
输入电容:2.254nF@40V
栅极电荷:37.7nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
漏源电压:80V
功率:1.6W
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8028LPSWQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.9W€65W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:10.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:641pF@25V
连续漏极电流:41.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
漏源电压:80V
功率:1.6W
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-7
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:80V
功率:50W€1.2W
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:70A€17A
工作温度:-55℃~+175℃
输入电容:2.254nF@40V
栅极电荷:37.7nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
漏源电压:80V
功率:1.6W
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: