采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7380TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：73mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H840NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@96µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2002pF@40V
连续漏极电流：14A€74A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H840NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@96µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2002pF@40V
连续漏极电流：14A€74A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3890
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@40V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@4.7A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H840NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@96µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2002pF@40V
连续漏极电流：14A€74A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB80EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7380TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：73mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3890
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@40V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@4.7A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H840NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@96µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2002pF@40V
连续漏极电流：14A€74A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB80EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB80EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7380TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：73mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K41GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H840NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@96µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2002pF@40V
连续漏极电流：14A€74A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H846NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@21µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@40V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB80EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H846NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@21µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@40V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB80EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ980EL-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1995pF@40V
连续漏极电流：36A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13.5mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB80EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3890
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@40V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@4.7A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K41GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H840NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@96µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2002pF@40V
连续漏极电流：14A€74A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K41HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2.5V@44µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB80EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB80EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H840NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@96µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2002pF@40V
连续漏极电流：14A€74A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1601，"24+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2.5V@44µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7K15-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2457pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
