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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
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功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
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输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
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功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
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输入电容：5100pF@40V
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功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
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功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
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输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
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连续漏极电流：32A
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导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
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功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
输入电容：5100pF@40V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：32A
阈值电压：2.5V@250µA
漏源电压：80V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
栅极电荷：155nC@10V
功率：100W
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
ECCN：EAR99
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD40P8F6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4112pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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