品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H
工作温度:-55℃~+175℃
功率:237.5W
阈值电压:2.9V@479μA
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.675nF@40V
连续漏极电流:241.3A
类型:1个N沟道
反向传输电容:41pF@40V
导通电阻:1.29mΩ@10V,80A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:80V
功率:294W
连续漏极电流:170A
输入电容:8nF@40V
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:3.6V@1mA
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:80V
功率:50W€1.2W
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:70A€17A
工作温度:-55℃~+175℃
输入电容:2.254nF@40V
栅极电荷:37.7nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:80V
功率:294W
连续漏极电流:170A
输入电容:8nF@40V
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:3.6V@1mA
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:80V
功率:294W
连续漏极电流:170A
输入电容:8nF@40V
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:3.6V@1mA
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: