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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA600CEJW-T1_GE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA600CEJW-T1_GE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA600CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:9nC@10V

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:54.6mΩ@3A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH84M1SPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH84M1SPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:63nC@10V

    输入电容:4.209nF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ182EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:395W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:96nC@10V

    输入电容:5.392nF@25V

    连续漏极电流:210A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R2-80YSEX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R2-80YSEX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:294W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8nF@40V

    连续漏极电流:170A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W€1.2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.254nF@40V

    连续漏极电流:70A€17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP040N08NF2SAKMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP040N08NF2SAKMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2800,"22+":1000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP040N08NF2SAKMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W€3.8W

    阈值电压:3.8V@85μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3.8nF@40V

    连续漏极电流:22A€115A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R2-80YSEX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R2-80YSEX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:294W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8nF@40V

    连续漏极电流:170A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6D1N08HT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6D1N08HT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6D1N08HT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.8W€104W

    阈值电压:4V@120μA

    栅极电荷:32nC@10V

    输入电容:2.085nF@40V

    连续漏极电流:17A€89A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W€1.2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.254nF@40V

    连续漏极电流:70A€17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP040N08NF2SAKMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP040N08NF2SAKMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP040N08NF2SAKMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W€3.8W

    阈值电压:3.8V@85μA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3.8nF@40V

    连续漏极电流:22A€115A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W€1.2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.254nF@40V

    连续漏极电流:70A€17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH84M1SPSQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH84M1SPSQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:63nC@10V

    输入电容:4.209nF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ182EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:395W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:96nC@10V

    输入电容:5.392nF@25V

    连续漏极电流:210A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W€1.2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.254nF@40V

    连续漏极电流:70A€17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ182EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:395W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:96nC@10V

    输入电容:5.392nF@25V

    连续漏极电流:210A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W€1.2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.254nF@40V

    连续漏极电流:70A€17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ182EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:395W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:96nC@10V

    输入电容:5.392nF@25V

    连续漏极电流:210A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ184ER-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ184ER-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ184ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:600W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:240nC@10V

    输入电容:16.009nF@25V

    连续漏极电流:430A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W€1.2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.254nF@40V

    连续漏极电流:70A€17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIOTEC Mosfet场效应管 DIT120N08 起订50个装
    DIOTEC Mosfet场效应管 DIT120N08 起订50个装

    品牌:DIOTEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DIT120N08

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:220W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:163nC@10V

    输入电容:6.5nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@40A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MPG200N08 起订4个装
    MINOS Mosfet场效应管 MPG200N08 起订4个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPG200N08

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:270W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:257nC@10V

    输入电容:13.2nF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:810pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,50A

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MPG90N08P 起订12个装
    MINOS Mosfet场效应管 MPG90N08P 起订12个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPG90N08P

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:147W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:85nC@10V

    输入电容:3.95nF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:210pF@25V

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MD200N08 起订10个装
    MINOS Mosfet场效应管 MD200N08 起订10个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MD200N08

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:270W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:257nC@10V

    输入电容:13.2nF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:810pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,50A

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:237.5W

    阈值电压:2.9V@479μA

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.675nF@40V

    连续漏极电流:241.3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:41pF@40V

    导通电阻:1.29mΩ@10V,80A

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R2-80YSEX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R2-80YSEX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:294W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8nF@40V

    连续漏极电流:170A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R2-80YSEX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R2-80YSEX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:294W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8nF@40V

    连续漏极电流:170A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MD200N08 起订30个装
    MINOS Mosfet场效应管 MD200N08 起订30个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MD200N08

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:270W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:257nC@10V

    输入电容:13.2nF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:810pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,50A

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R2-80YSEX 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R2-80YSEX 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:294W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8nF@40V

    连续漏极电流:170A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ184E-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ184E-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ184E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:600W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:272nC@10V

    输入电容:16.01nF@25V

    连续漏极电流:430A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6D1N08HT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6D1N08HT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6D1N08HT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.8W€104W

    阈值电压:4V@120μA

    栅极电荷:32nC@10V

    输入电容:2.085nF@40V

    连续漏极电流:17A€89A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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