销售单位：个

规格型号(MPN)：SQA600CEJW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：13.6W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：9nC@10V

输入电容：540pF@25V

连续漏极电流：9A

类型：1个N沟道

导通电阻：54.6mΩ@3A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ182EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：395W

阈值电压：3.5V@250μA

栅极电荷：96nC@10V

输入电容：5.392nF@25V

连续漏极电流：210A

类型：1个N沟道

导通电阻：5mΩ@15A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ182EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：395W

阈值电压：3.5V@250μA

栅极电荷：96nC@10V

输入电容：5.392nF@25V

连续漏极电流：210A

类型：1个N沟道

导通电阻：5mΩ@15A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ182EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：395W

阈值电压：3.5V@250μA

栅极电荷：96nC@10V

输入电容：5.392nF@25V

连续漏极电流：210A

类型：1个N沟道

导通电阻：5mΩ@15A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ182EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：395W

阈值电压：3.5V@250μA

栅极电荷：96nC@10V

输入电容：5.392nF@25V

连续漏极电流：210A

类型：1个N沟道

导通电阻：5mΩ@15A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJQ184ER-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：600W

阈值电压：3.5V@250μA

栅极电荷：240nC@10V

输入电容：16.009nF@25V

连续漏极电流：430A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.4mΩ@20A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA84CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ€37mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA84CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ€37mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQA602CEJW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：13.6W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：5.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5.63A

类型：MOSFET

导通电阻：94mΩ€110mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA82CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：12A

类型：MOSFET

导通电阻：90MΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQA602CEJW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：13.6W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：5.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5.63A

类型：MOSFET

导通电阻：94mΩ€110mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA84CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ€37mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP60020E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

栅极电荷：151.2nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：2.8mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA82CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：12A

类型：MOSFET

导通电阻：90MΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA84CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ€37mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA82CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：12A

类型：MOSFET

导通电阻：90MΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA84CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ€37mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJQ184E-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：600W

阈值电压：3.5V@250μA

栅极电荷：272nC@10V

输入电容：16.01nF@25V

连续漏极电流：430A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.4mΩ@20A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJQ184ER-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：600W

阈值电压：3.5V@250μA

栅极电荷：240nC@10V

输入电容：16.009nF@25V

连续漏极电流：430A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.4mΩ@20A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJQ184E-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：600W

阈值电压：3.5V@250μA

栅极电荷：272nC@10V

输入电容：16.01nF@25V

连续漏极电流：430A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.4mΩ@20A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJQ184E-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：600W

阈值电压：3.5V@250μA

栅极电荷：272nC@10V

输入电容：16.01nF@25V

连续漏极电流：430A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.4mΩ@20A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ182EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：395W

阈值电压：3.5V@250μA

栅极电荷：96nC@10V

输入电容：5.392nF@25V

连续漏极电流：210A

类型：1个N沟道

导通电阻：5mΩ@15A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJQ184ER-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：600W

阈值电压：3.5V@250μA

栅极电荷：240nC@10V

输入电容：16.009nF@25V

连续漏极电流：430A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.4mΩ@20A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJQ184E-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：600W

阈值电压：3.5V@250μA

栅极电荷：272nC@10V

输入电容：16.01nF@25V

连续漏极电流：430A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.4mΩ@20A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQA602CEJW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：13.6W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：5.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5.63A

类型：MOSFET

导通电阻：94mΩ€110mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1