品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.6A€12A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W€3.2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.7A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W€3.2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.7A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W€3.2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.7A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.6A€12A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W€3.2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.7A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.6A€12A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W€3.3W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:210nC@10V
输入电容:10.23nF@40V
连续漏极电流:299A€29A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.55mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.6A€12A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.6A€12A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:76nC@10V
输入电容:4.1nF@40V
连续漏极电流:35.8A€146A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.6A€12A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.6A€12A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.6A€12A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W€3.2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.7A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W€3.2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.7A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR582DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5.6W€92.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.36nF@40V
连续漏极电流:116A€28.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.4mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.6A€12A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W€3.2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.7A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR582DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5.6W€92.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.36nF@40V
连续漏极电流:116A€28.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.4mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.6A€12A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W€3.2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.7A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N08-16-E3
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:16mΩ@40A,10V
类型:1个N沟道
功率:3W€136W
漏源电压:80V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+175℃
连续漏极电流:40A
输入电容:1.96nF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
阈值电压:4V@250μA
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.7A€16A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:24W€3.2W
漏源电压:80V
导通电阻:34mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: