品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA600CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:54.6mΩ@3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC100N08YA-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:152W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.32nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC100N08YA-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:152W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.32nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC100N08YA-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:152W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.32nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA600CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:54.6mΩ@3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC100N08YA-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:152W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.32nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA600CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:54.6mΩ@3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SiS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SiS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC100N08YA-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:152W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.32nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
连续漏极电流:10.2A€33.7A
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.25nF@40V
类型:1个N沟道
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
功率:3.6W€39W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SiS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SiS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SiS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SiS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC100N08YA-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:152W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.32nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SiS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SiS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: