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    ST
    漏源电压
    80V
    阈值电压
    4.5V@250μA
    连续漏极电流
    110A
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    ST Mosfet场效应管 STP110N8F6 起订数1000个
    ST Mosfet场效应管 STP110N8F6 起订数1000个

    品牌：ST

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55℃~+175℃

    功率：200W

    阈值电压：4.5V@250μA

    栅极电荷：150nC@10V

    输入电容：9.13nF@40V

    连续漏极电流：110A

    类型：1个N沟道

    导通电阻：6.5mΩ@10V，55A

    漏源电压：80V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    ST Mosfet场效应管 STP110N8F6 起订数1000个
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    品牌：ST

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55℃~+175℃

    功率：200W

    阈值电压：4.5V@250μA

    栅极电荷：150nC@10V

    输入电容：9.13nF@40V

    连续漏极电流：110A

    类型：1个N沟道

    导通电阻：6.5mΩ@10V，55A

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