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    品牌: VISHAY
    漏源电压: 80V
    阈值电压: 2.5V@250µA
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:300+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:45W

    输入电容:2000pF@25V

    栅极电荷:50nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:80V

    导通电阻:80mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-25L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-25L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P08-25L_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:137nC@10V

    导通电阻:25mΩ@10.5A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    输入电容:5350pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ469EP-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ469EP-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ469EP-T1_GE3

    输入电容:5100pF@40V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:32A

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    栅极电荷:155nC@10V

    功率:100W

    导通电阻:25mΩ@10.2A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA80ENW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA80ENW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA80ENW-T1_GE3

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:62.5W

    连续漏极电流:18A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:21nC@10V

    输入电容:1358pF@40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:45W

    输入电容:2000pF@25V

    栅极电荷:50nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:80V

    导通电阻:80mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680LDP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680LDP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR680LDP-T1-RE3

    输入电容:7250pF@40V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    功率:6.25W€104W

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    栅极电荷:135nC@10V

    连续漏极电流:31.8A€130A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA86EP-T1_BE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:32nC@10V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2387DS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2387DS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2387DS-T1-GE3

    功率:1.3W€2.5W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:395pF@40V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.1A€3A

    阈值电压:2.5V@250µA

    导通电阻:164mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:80V

    类型:P沟道

    栅极电荷:10.2nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA80EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA80EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA80EP-T1_GE3

    输入电容:3800pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:75nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    功率:68W

    导通电阻:7mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:60A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB80EP-T1_BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB80EP-T1_BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB80EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:80V

    连续漏极电流:30A

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ479EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ479EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:32A

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:80V

    功率:68W

    导通电阻:33mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    输入电容:4500pF@25V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP60061EL-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP60061EL-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):SUP60061EL-GE3

    连续漏极电流:150A

    栅极电荷:218nC@10V

    导通电阻:5.8mΩ@20A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:9600pF@40V

    类型:P沟道

    功率:375W

    包装方式:散装

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA80EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA80EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA80EP-T1_GE3

    输入电容:3800pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:75nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    功率:68W

    导通电阻:7mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:60A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB80EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB80EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB80EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:80V

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA80EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA80EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA80EP-T1_GE3

    输入电容:3800pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:75nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    功率:68W

    导通电阻:7mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:60A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2337ES-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2337ES-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2337ES-T1_GE3

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:290mΩ@1A,4.5V

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:620pF@30V

    功率:3W

    类型:P沟道

    连续漏极电流:2.2A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB80EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB80EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB80EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:15.5mΩ

    功率:48W

    漏源电压:80V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA86EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:32nC@10V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ479EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ479EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:32A

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:80V

    功率:68W

    导通电阻:33mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    输入电容:4500pF@25V

    栅极电荷:150nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP60061EL-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP60061EL-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):SUP60061EL-GE3

    连续漏极电流:150A

    栅极电荷:218nC@10V

    导通电阻:5.8mΩ@20A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:9600pF@40V

    类型:P沟道

    功率:375W

    包装方式:散装

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3129DV-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3129DV-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3129DV-T1-GE3

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:80V

    输入电容:805pF@40V

    类型:P沟道

    导通电阻:82.7mΩ@3.8A,10V

    功率:2W€4.2W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:3.8A€5.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32LDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32LDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS32LDN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    栅极电荷:57nC@10V

    导通电阻:7.2mΩ@15A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:2550pF@40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB80EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB80EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB80EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:80V

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA80EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA80EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA80EP-T1_GE3

    输入电容:3800pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:75nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    功率:68W

    导通电阻:7mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:60A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-25L_GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-25L_GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P08-25L_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:137nC@10V

    导通电阻:25mΩ@10.5A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    输入电容:5350pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB80EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB80EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB80EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:80V

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32LDN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32LDN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS32LDN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    栅极电荷:57nC@10V

    导通电阻:7.2mΩ@15A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:2550pF@40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32LDN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32LDN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS32LDN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    栅极电荷:57nC@10V

    导通电阻:7.2mΩ@15A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:2550pF@40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:45W

    输入电容:2000pF@25V

    栅极电荷:50nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:80V

    导通电阻:80mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2337ES-T1_BE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2337ES-T1_BE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2337ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@40V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:290mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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