品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
输入电容:2000pF@25V
栅极电荷:50nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
导通电阻:80mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P08-25L_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:137nC@10V
导通电阻:25mΩ@10.5A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
ECCN:EAR99
输入电容:5350pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ469EP-T1_GE3
输入电容:5100pF@40V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:32A
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
栅极电荷:155nC@10V
功率:100W
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
输入电容:2000pF@25V
栅极电荷:50nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
导通电阻:80mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2387DS-T1-GE3
功率:1.3W€2.5W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:395pF@40V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.1A€3A
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:164mΩ@2.1A,10V
漏源电压:80V
类型:P沟道
栅极电荷:10.2nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:32A
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
功率:68W
导通电阻:33mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:4500pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):SUP60061EL-GE3
连续漏极电流:150A
栅极电荷:218nC@10V
导通电阻:5.8mΩ@20A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:9600pF@40V
类型:P沟道
功率:375W
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2337ES-T1_GE3
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:290mΩ@1A,4.5V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:620pF@30V
功率:3W
类型:P沟道
连续漏极电流:2.2A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:32A
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
功率:68W
导通电阻:33mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:4500pF@25V
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):SUP60061EL-GE3
连续漏极电流:150A
栅极电荷:218nC@10V
导通电阻:5.8mΩ@20A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:9600pF@40V
类型:P沟道
功率:375W
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3129DV-T1-GE3
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
输入电容:805pF@40V
类型:P沟道
导通电阻:82.7mΩ@3.8A,10V
功率:2W€4.2W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:3.8A€5.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P08-25L_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:137nC@10V
导通电阻:25mΩ@10.5A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
输入电容:5350pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
输入电容:2000pF@25V
栅极电荷:50nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
导通电阻:80mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2337ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@40V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:290mΩ@1.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2387DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:395pF@40V
连续漏极电流:2.1A€3A
类型:P沟道
导通电阻:164mΩ@2.1A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2387DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:395pF@40V
连续漏极电流:2.1A€3A
类型:P沟道
导通电阻:164mΩ@2.1A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ469EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2387DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:395pF@40V
连续漏极电流:2.1A€3A
类型:P沟道
导通电阻:164mΩ@2.1A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ469EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM60061EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:218nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@40V
连续漏极电流:150A
类型:P沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2337ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:290mΩ@1A,4.5V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2337ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:290mΩ@1A,4.5V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ469EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA81EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:17.3mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM50P08-25L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5350pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@12.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP60061EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:218nC@10V
包装方式:散装
输入电容:9600pF@40V
连续漏极电流:150A
类型:P沟道
导通电阻:5.8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: