品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH12008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@40V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH12008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@40V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH12008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
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输入电容:1900pF@40V
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类型:N沟道
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漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH12008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TPH12008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
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ECCN:EAR99
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH12008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH12008NH,L1Q
工作温度:150℃
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类型:N沟道
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH12008NH,L1Q
工作温度:150℃
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH12008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH12008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH12008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@40V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH12008NH,L1Q
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@40V
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:12.3mΩ@12A,10V
阈值电压:4V@300µA
连续漏极电流:24A
功率:1.6W€48W
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK35A08N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@40V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@17.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH12008NH,L1Q
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@40V
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:12.3mΩ@12A,10V
阈值电压:4V@300µA
连续漏极电流:24A
功率:1.6W€48W
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK35A08N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@40V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
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行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK35A08N1,S4X
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ECCN:EAR99
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包装方式:管件
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK35A08N1,S4X
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栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
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导通电阻:12.2mΩ@17.5A,10V
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK35A08N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
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栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@40V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@17.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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