品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6668TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5D9N08HTWG
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@120µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@40V
连续漏极电流:13A€84A
类型:N沟道
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":7176,"22+":9457}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6668TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5D9N08HTWG
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@120µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@40V
连续漏极电流:13A€84A
类型:N沟道
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6668TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":7176,"22+":9457}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6668TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6668TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6668TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC010N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€52W
阈值电压:3V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2135pF@40V
连续漏极电流:11A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@16A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC010N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€52W
阈值电压:3V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2135pF@40V
连续漏极电流:11A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@16A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2527}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSB104N08NP3GXUSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€42W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@40V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6668TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6668TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":7176,"22+":9457}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6668TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6668TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":7176,"22+":9457}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6668TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5D9N08HTWG
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@120µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@40V
连续漏极电流:13A€84A
类型:N沟道
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC010N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€52W
阈值电压:3V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2135pF@40V
连续漏极电流:11A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@16A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5D9N08HTWG
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@40V
连续漏极电流:13A€84A
类型:N沟道
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6668TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC010N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€52W
阈值电压:3V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2135pF@40V
连续漏极电流:11A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@16A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6668TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6668TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6668TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6668TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6668TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5D9N08HTWG
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@120µA
连续漏极电流:13A€84A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6668TRPBF
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:2.8W€89W
阈值电压:4.9V@100µA
连续漏极电流:55A
栅极电荷:31nC@10V
工作温度:-40℃~150℃
导通电阻:15mΩ@12A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6668TRPBF
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:2.8W€89W
阈值电压:4.9V@100µA
连续漏极电流:55A
栅极电荷:31nC@10V
工作温度:-40℃~150℃
导通电阻:15mΩ@12A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":6000}
规格型号(MPN):FDMC010N08LC
阈值电压:3V@90µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:11A€50A
输入电容:2135pF@40V
栅极电荷:31nC@10V
ECCN:EAR99
功率:2.3W€52W
导通电阻:10.9mΩ@16A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: