采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€258W
阈值电压：4V@490µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：38A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS002N08MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@540µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@40V
连续漏极电流：29A€229A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R4-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€258W
阈值电压：4V@490µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
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类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€258W
阈值电压：4V@490µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：38A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1600，"23+"：111}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R4-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS002N08MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@540µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@40V
连续漏极电流：29A€229A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R4-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€208W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：36A€255A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€208W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：36A€255A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€208W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：36A€255A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R4-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
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ECCN：EAR99
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输入电容：8400pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS002N08MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@540µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
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输入电容：8900pF@40V
连续漏极电流：29A€229A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€208W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：36A€255A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€208W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：36A€255A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€258W
阈值电压：4V@490µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：38A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R4-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
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输入电容：8400pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS002N08MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@540µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@40V
连续漏极电流：29A€229A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1600，"23+"：111}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R4-80BS，118
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功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€208W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：36A€255A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1600，"23+"：111}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R4-80BS，118
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功率：306W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
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输入电容：8400pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R4-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS002N08MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@540µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@40V
连续漏极电流：29A€229A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R4-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R4-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS002N08MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@540µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@40V
连续漏极电流：29A€229A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R4-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R4-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS002N08MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@540µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@40V
连续漏极电流：29A€229A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R4-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
