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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6646TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€89W
阈值电压：4.9V@150µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：12A€68A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6646TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€89W
阈值电压：4.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：12A€68A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRF6646TRPBF
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功率：2.8W€89W
阈值电压：4.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：12A€68A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6646TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€89W
阈值电压：4.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：12A€68A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：71757，"23+"：17386}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6646TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€89W
阈值电压：4.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：12A€68A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRF6646TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€89W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
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输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：12A€68A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6646TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€89W
阈值电压：4.9V@150µA
栅极电荷：50nC@10V
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输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：12A€68A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_BE3
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功率：45W
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类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_BE3
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功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_BE3
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功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
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输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6646TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€89W
阈值电压：4.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：12A€68A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：71757，"23+"：17386}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6646TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€89W
阈值电压：4.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：12A€68A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_BE3
包装方式：卷带（TR）
功率：45W
输入电容：2000pF@25V
栅极电荷：50nC@10V
阈值电压：2.5V@250µA
漏源电压：80V
导通电阻：80mΩ@10A，10V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
连续漏极电流：16A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_BE3
包装方式：卷带（TR）
功率：45W
输入电容：2000pF@25V
栅极电荷：50nC@10V
阈值电压：2.5V@250µA
漏源电压：80V
导通电阻：80mΩ@10A，10V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
连续漏极电流：16A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
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栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_BE3
包装方式：卷带（TR）
功率：45W
输入电容：2000pF@25V
栅极电荷：50nC@10V
阈值电压：2.5V@250µA
漏源电压：80V
导通电阻：80mΩ@10A，10V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
连续漏极电流：16A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6646TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€89W
阈值电压：4.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：12A€68A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6646TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€89W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：12A€68A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6646TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€89W
阈值电压：4.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：12A€68A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6646TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€89W
阈值电压：4.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：12A€68A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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