包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：6036}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0602LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：1.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：7.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIJ128LDP-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：22.3W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：20nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25.5A

类型：MOSFET

导通电阻：15.6mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR586DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：71.4W

阈值电压：4V

栅极电荷：25.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：64.9A

类型：MOSFET

导通电阻：5.3mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC340N08NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：32W

阈值电压：2V

栅极电荷：9.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：23A

类型：MOSFET

导通电阻：27.5mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC340N08NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：32W

阈值电压：2V

栅极电荷：9.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：23A

类型：MOSFET

导通电阻：27.5mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC340N08NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：32W

阈值电压：2V

栅极电荷：9.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：23A

类型：MOSFET

导通电阻：27.5mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC340N08NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：32W

阈值电压：2V

栅极电荷：9.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：23A

类型：MOSFET

导通电阻：27.5mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC123N08NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：66W

阈值电压：2V

栅极电荷：25nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：55A

类型：MOSFET

导通电阻：10.3mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC123N08NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：66W

阈值电压：2V

栅极电荷：25nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：55A

类型：MOSFET

导通电阻：10.3mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1