品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:17A€50A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:2.5W€96W
栅极电荷:95nC@10V
输入电容:6290pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86350
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:25A€130A
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
栅极电荷:155nC@10V
输入电容:10680pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP053N08B-F102
阈值电压:4.5V@250µA
输入电容:5960pF@40V
导通电阻:5.3mΩ@75A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:75A
栅极电荷:85nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
功率:146W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:17A€50A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:2.5W€96W
栅极电荷:95nC@10V
输入电容:6290pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL105N8F7AG
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:127W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:95A
栅极电荷:46nC@10V
导通电阻:6.5mΩ@25A,10V
输入电容:3475pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL105N8F7AG
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:127W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:95A
栅极电荷:46nC@10V
导通电阻:6.5mΩ@25A,10V
输入电容:3475pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD110N8F6
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
功率:167W
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:9130pF@40V
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STP170N8F7
阈值电压:4.5V@250µA
功率:250W
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
导通电阻:3.9mΩ@60A,10V
连续漏极电流:120A
栅极电荷:120nC@10V
输入电容:8710pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STP110N8F6
导通电阻:6.5mΩ@55A,10V
阈值电压:4.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
输入电容:9130pF@40V
连续漏极电流:110A
包装方式:管件
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STP110N8F6
导通电阻:6.5mΩ@55A,10V
阈值电压:4.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
输入电容:9130pF@40V
连续漏极电流:110A
包装方式:管件
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS039N08B
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:7600pF@40V
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
连续漏极电流:19.4A€100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86350
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:25A€130A
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
栅极电荷:155nC@10V
输入电容:10680pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:17A€50A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:2.5W€96W
栅极电荷:95nC@10V
输入电容:6290pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86300DC
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:3.2W€125W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:7005pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:3.1mΩ@24A,10V
连续漏极电流:24A€76A
栅极电荷:101nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP032N08B-F102
阈值电压:4.5V@250µA
输入电容:10965pF@40V
功率:263W
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:144nC@10V
导通电阻:3.3mΩ@100A,10V
包装方式:管件
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STP110N8F6
导通电阻:6.5mΩ@55A,10V
阈值电压:4.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
输入电容:9130pF@40V
连续漏极电流:110A
包装方式:管件
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB86360-F085
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:110A
导通电阻:1.8mΩ@80A,10V
输入电容:14600pF@25V
栅极电荷:253nC@10V
ECCN:EAR99
功率:333W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP027N08B-F102
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:178nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:2.7mΩ@100A,10V
功率:246W
包装方式:管件
输入电容:13530pF@40V
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB024N08BL7
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
功率:246W
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
输入电容:13530pF@40V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86320
功率:2.5W€69W
阈值电压:4.5V@250µA
导通电阻:11.7mΩ@10.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:2640pF@40V
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
连续漏极电流:10.5A€22A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86350ET80
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:25A€198A
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:8030pF@40V
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
栅极电荷:155nC@10V
ECCN:EAR99
功率:3.3W€187W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86300DC
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:3.2W€125W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:7005pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:3.1mΩ@24A,10V
连续漏极电流:24A€76A
栅极电荷:101nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:17A€50A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:2.5W€96W
栅极电荷:95nC@10V
输入电容:6290pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86300DC
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:3.2W€125W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:7005pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:3.1mΩ@24A,10V
连续漏极电流:24A€76A
栅极电荷:101nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86320
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@40V
连续漏极电流:10.5A€22A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB024N08BL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:246W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13530pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS039N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7600pF@40V
连续漏极电流:19.4A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86300DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7005pF@40V
连续漏极电流:24A€76A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@24A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86300DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7005pF@40V
连续漏极电流:24A€76A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@24A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86350
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
输入电容:10680pF@40V
连续漏极电流:25A€130A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: