品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN6R5-80BS,118
输入电容:4461pF@40V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:6.9mΩ@15A,10V
功率:210W
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC037N08NS5ATMA1
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.8V@72µA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€114W
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
输入电容:4200pF@40V
栅极电荷:58nC@10V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
功率:2.9W
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
输入电容:8952pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC030N08NS5ATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:76nC@10V
阈值电压:3.8V@95µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:2.5W€139W
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
输入电容:5600pF@40V
导通电阻:3mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5B
输入电容:4870pF@40V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:3.1W€195W
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
栅极电荷:62nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:3.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
输入电容:8400pF@40V
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:125nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IPP037N08N3GXKSA1
功率:214W
导通电阻:3.75mΩ@100A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:117nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.5V@155µA
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
输入电容:8110pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y8R5-80EX
功率:238W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8167pF@25V
导通电阻:8mΩ@25A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:54.7nC@5V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@1mA
连续漏极电流:100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
功率:2.9W
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
输入电容:8952pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86367
功率:227W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:88nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4840pF@40V
导通电阻:4.2mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):CSD19506KCS
栅极电荷:156nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
阈值电压:3.2V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:12200pF@40V
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
功率:375W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6276
功率:215W
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:3.2V@250µA
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
连续漏极电流:100A
输入电容:4940pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
生产批次:{"18+":748}
规格型号(MPN):PSMN5R0-80BS,118
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:5.1mΩ@25A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
功率:270W
输入电容:6793pF@40V
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:101nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC037N08NS5ATMA1
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.8V@72µA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€114W
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
输入电容:4200pF@40V
栅极电荷:58nC@10V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5B
输入电容:4870pF@40V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:3.1W€195W
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
栅极电荷:62nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5B
输入电容:4870pF@40V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:3.1W€195W
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
栅极电荷:62nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5B
输入电容:4870pF@40V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:3.1W€195W
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
栅极电荷:62nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N08S5N031ATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5525pF@40V
功率:167W
导通电阻:3.1mΩ@50A,10V
栅极电荷:76nC@10V
阈值电压:3.8V@95µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y8R5-80EX
功率:238W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8167pF@25V
导通电阻:8mΩ@25A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:54.7nC@5V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@1mA
连续漏极电流:100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":1500,"22+":22500,"MI+":1500}
规格型号(MPN):BUK9Y8R5-80EX
功率:238W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8167pF@25V
导通电阻:8mΩ@25A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:54.7nC@5V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@1mA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC025N08LS5ATMA1
导通电阻:2.5mΩ@50A,10V
阈值电压:2.3V@115µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:7500pF@40V
栅极电荷:55nC@4.5V
连续漏极电流:100A
功率:2.5W€156W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":3993}
规格型号(MPN):BSC025N08LS5ATMA1
导通电阻:2.5mΩ@50A,10V
阈值电压:2.3V@115µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:7500pF@40V
栅极电荷:55nC@4.5V
连续漏极电流:100A
功率:2.5W€156W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC040N08NS5ATMA1
导通电阻:4mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.8V@67µA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:100A
栅极电荷:54nC@10V
输入电容:3900pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD19502Q5BT
输入电容:4870pF@40V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:3.1W€195W
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
栅极电荷:62nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
输入电容:8400pF@40V
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:125nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):CSD19506KCS
栅极电荷:156nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
阈值电压:3.2V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:12200pF@40V
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
功率:375W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC025N08LS5ATMA1
导通电阻:2.5mΩ@50A,10V
阈值电压:2.3V@115µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:7500pF@40V
栅极电荷:55nC@4.5V
连续漏极电流:100A
功率:2.5W€156W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):CSD19506KCS
栅极电荷:156nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
阈值电压:3.2V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:12200pF@40V
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
功率:375W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5B
输入电容:4870pF@40V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:3.1W€195W
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
栅极电荷:62nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC040N08NS5ATMA1
导通电阻:4mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.8V@67µA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
输入电容:3900pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: