采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3 G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€66W
阈值电压：3.5V@33µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：Reel
输入电容：1700pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3 G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€66W
阈值电压：3.5V@33µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：Reel
输入电容：1700pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3 G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€66W
阈值电压：3.5V@33µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：Reel
输入电容：1700pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3 G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€66W
阈值电压：3.5V@33µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：Reel
输入电容：1700pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3 G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€66W
阈值电压：3.5V@33µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：Reel
输入电容：1700pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3 G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€66W
阈值电压：3.5V@33µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：Reel
输入电容：1700pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3 G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€66W
阈值电压：3.5V@33µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：Reel
输入电容：1700pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3 G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€66W
阈值电压：3.5V@33µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：Reel
输入电容：1700pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3 G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€66W
阈值电压：3.5V@33µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：Reel
输入电容：1700pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3 G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€66W
阈值电压：3.5V@33µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：Reel
输入电容：1700pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3 G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€66W
阈值电压：3.5V@33µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：Reel
输入电容：1700pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3 G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€66W
阈值电压：3.5V@33µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：Reel
输入电容：1700pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3 G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€66W
阈值电压：3.5V@33µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：Reel
输入电容：1700pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3 G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€66W
阈值电压：3.5V@33µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：Reel
输入电容：1700pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NT1G
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
漏源电压：80V
阈值电压：4V@45µA
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
输入电容：760pF@40V
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
