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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：SISS32DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
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功率：5W€65.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
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栅极电荷：42nC@10V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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输入电容：2550pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
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输入电容：1930pF@40V
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栅极电荷：36nC@10V
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输入电容：1520pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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功率：5W€65.7W
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栅极电荷：36nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
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阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
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功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
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栅极电荷：36nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS32LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@40V
类型：N沟道
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漏源电压：80V
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阈值电压：2.5V@250µA
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类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
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