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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUT200N08S5N023ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：3.8V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：450，"22+"：460，"MI+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA90N08
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
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ECCN：EAR99
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包装方式：管件
输入电容：3250pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@45A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IAUT200N08S5N023ATMA1
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：IAUT200N08S5N023ATMA1
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功率：200W
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：226，"22+"：5675，"23+"：48110，"24+"：1613}
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规格型号(MPN)：IAUT200N08S5N023ATMA1
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类型：N沟道
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生产批次：{"21+"：450，"22+"：460，"MI+"：450}
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规格型号(MPN)：FQA90N08
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功率：214W
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ECCN：EAR99
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包装方式：管件
输入电容：3250pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@45A，10V
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类型：N沟道
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工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：3.8V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
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输入电容：7670pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：226，"22+"：5675，"23+"：48110，"24+"：1613}
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工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：3.8V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
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输入电容：7670pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
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栅极电荷：110nC@10V
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输入电容：7670pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
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功率：200W
阈值电压：3.8V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IAUT200N08S5N023ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：3.8V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：226，"22+"：5675，"23+"：48110，"24+"：1613}
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规格型号(MPN)：IAUT200N08S5N023ATMA1
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输入电容：7670pF@40V
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类型：N沟道
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：226，"22+"：5675，"23+"：48110，"24+"：1613}
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规格型号(MPN)：IAUT200N08S5N023ATMA1
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栅极电荷：110nC@10V
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类型：N沟道
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IAUT200N08S5N023ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
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栅极电荷：110nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUT200N08S5N023ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA90N08
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
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栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3250pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@45A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUT200N08S5N023ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：3.8V@130µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA90N08
导通电阻：16mΩ@45A，10V
栅极电荷：110nC@10V
功率：214W
类型：N沟道
漏源电压：80V
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
输入电容：3250pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUT200N08S5N023ATMA1
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
漏源电压：80V
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：3.8V@130µA
输入电容：7670pF@40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUT200N08S5N023ATMA1
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
漏源电压：80V
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：3.8V@130µA
ECCN：EAR99
输入电容：7670pF@40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"19+"：226，"22+"：5675，"23+"：48110，"24+"：1613}
规格型号(MPN)：IAUT200N08S5N023ATMA1
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
漏源电压：80V
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：3.8V@130µA
ECCN：EAR99
输入电容：7670pF@40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA90N08
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3250pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@45A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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