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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86340
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.3W（Ta），54W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3885 pF @ 40 V
连续漏极电流：14A（Ta），48A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.5 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86326
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035 pF @ 50 V
连续漏极电流：8A（Ta），37A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86326
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035 pF @ 50 V
连续漏极电流：8A（Ta），37A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86340
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.3W（Ta），54W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3885 pF @ 40 V
连续漏极电流：14A（Ta），48A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.5 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86326
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035 pF @ 50 V
连续漏极电流：8A（Ta），37A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD86326
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035 pF @ 50 V
连续漏极电流：8A（Ta），37A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD86326
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035 pF @ 50 V
连续漏极电流：8A（Ta），37A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86340
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.3W（Ta），54W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3885 pF @ 40 V
连续漏极电流：14A（Ta），48A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.5 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86340
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.3W（Ta），54W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3885 pF @ 40 V
连续漏极电流：14A（Ta），48A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.5 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86340
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.3W（Ta），54W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3885 pF @ 40 V
连续漏极电流：14A（Ta），48A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.5 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86340
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.3W（Ta），54W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：53 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3885 pF @ 40 V
连续漏极电流：14A（Ta），48A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.5 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86326
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035 pF @ 50 V
连续漏极电流：8A（Ta），37A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86340
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.3W（Ta），54W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3885 pF @ 40 V
连续漏极电流：14A（Ta），48A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.5 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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