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    80V
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    连续漏极电流
    漏源电压: 80V
    类型: N 通道
    连续漏极电流: 110A(Tc)
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    onsemi Mosfet场效应管 FDB86366-F085 起订数5000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86366-F085 起订数5000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:176W(Tj)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    输入电容:6280 pF @ 40 V

    连续漏极电流:110A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3.6 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86366-F085 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86366-F085 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:176W(Tj)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    输入电容:6280 pF @ 40 V

    连续漏极电流:110A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3.6 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86366-F085 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86366-F085 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:176W(Tj)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    输入电容:6280 pF @ 40 V

    连续漏极电流:110A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3.6 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数10个
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数10个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:150 nC @ 10 V

    输入电容:10000 pF @ 40 V

    连续漏极电流:110A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86366-F085 起订数300个
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86366-F085 起订数300个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:176W(Tj)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    输入电容:6280 pF @ 40 V

    连续漏极电流:110A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3.6 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数1个
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数1个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:150 nC @ 10 V

    输入电容:10000 pF @ 40 V

    连续漏极电流:110A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:150 nC @ 10 V

    输入电容:10000 pF @ 40 V

    连续漏极电流:110A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:150 nC @ 10 V

    输入电容:10000 pF @ 40 V

    连续漏极电流:110A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数250个
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数250个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:150 nC @ 10 V

    输入电容:10000 pF @ 40 V

    连续漏极电流:110A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数25个
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数25个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:150 nC @ 10 V

    输入电容:10000 pF @ 40 V

    连续漏极电流:110A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数800个
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数800个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:150 nC @ 10 V

    输入电容:10000 pF @ 40 V

    连续漏极电流:110A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数10个
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数10个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    输入电容:10000 pF @ 40 V

    栅极电荷:150 nC @ 10 V

    功率:300W(Tc)

    连续漏极电流:110A(Tc)

    漏源电压:80V

    阈值电压:4V @ 250µA

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    类型:N 通道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    输入电容:10000 pF @ 40 V

    栅极电荷:150 nC @ 10 V

    功率:300W(Tc)

    连续漏极电流:110A(Tc)

    漏源电压:80V

    阈值电压:4V @ 250µA

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    类型:N 通道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86366-F085 起订数1000个
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

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    导通电阻:3.6 毫欧 @ 80A,10V

    功率:176W(Tj)

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    输入电容:6280 pF @ 40 V

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    漏源电压:80V

    阈值电压:4V @ 250µA

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    类型:N 通道

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