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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2105，"21+"：765}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86340ET80
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：2.8W（Ta），65W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775 pF @ 40 V
连续漏极电流：14A（Ta），68A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.5 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2105，"21+"：765}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86340ET80
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：2.8W（Ta），65W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775 pF @ 40 V
连续漏极电流：14A（Ta），68A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.5 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2105，"21+"：765}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86340ET80
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：2.8W（Ta），65W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775 pF @ 40 V
连续漏极电流：14A（Ta），68A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.5 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86368-F085
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：214W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：75 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350 pF @ 40 V
连续漏极电流：80A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.5 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：176W（Tj）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：112 nC @ 10 V
输入电容：6280 pF @ 40 V
连续漏极电流：110A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.6 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：176W（Tj）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：112 nC @ 10 V
输入电容：6280 pF @ 40 V
连续漏极电流：110A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.6 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：176W（Tj）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：112 nC @ 10 V
输入电容：6280 pF @ 40 V
连续漏极电流：110A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.6 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：300W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：150 nC @ 10 V
输入电容：10000 pF @ 40 V
连续漏极电流：110A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：176W（Tj）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：112 nC @ 10 V
输入电容：6280 pF @ 40 V
连续漏极电流：110A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.6 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：300W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：150 nC @ 10 V
输入电容：10000 pF @ 40 V
连续漏极电流：110A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：300W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：150 nC @ 10 V
输入电容：10000 pF @ 40 V
连续漏极电流：110A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：300W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：150 nC @ 10 V
输入电容：10000 pF @ 40 V
连续漏极电流：110A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：300W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：150 nC @ 10 V
输入电容：10000 pF @ 40 V
连续漏极电流：110A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：300W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：150 nC @ 10 V
输入电容：10000 pF @ 40 V
连续漏极电流：110A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：300W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：150 nC @ 10 V
输入电容：10000 pF @ 40 V
连续漏极电流：110A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：10000 pF @ 40 V
栅极电荷：150 nC @ 10 V
功率：300W（Tc）
连续漏极电流：110A（Tc）
漏源电压：80V
阈值电压：4V @ 250µA
导通电阻：2.4 毫欧 @ 80A，10V
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
类型：N 通道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：10000 pF @ 40 V
栅极电荷：150 nC @ 10 V
功率：300W（Tc）
连续漏极电流：110A（Tc）
漏源电压：80V
阈值电压：4V @ 250µA
导通电阻：2.4 毫欧 @ 80A，10V
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
类型：N 通道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：3.6 毫欧 @ 80A，10V
功率：176W（Tj）
栅极电荷：112 nC @ 10 V
输入电容：6280 pF @ 40 V
连续漏极电流：110A（Tc）
漏源电压：80V
阈值电压：4V @ 250µA
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
类型：N 通道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
